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本申请实施例公开了一种半导体结构及绝缘栅双极型晶体管，所述半导体结构包括阻挡区、发射极、第一欧姆接触区、第一电压钳位结构和第一隔离介质区，其中，发射极位于阻挡区上方，第一欧姆接触区与发射极间隔设于阻挡区的上方，第一欧姆接触区与阻挡区相接触，...
该专利属于美垦半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美垦半导体技术有限公司授权不得商用。

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