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本发明涉及一种基于复合衬底的HEMT器件及其制备方法。所述器件由下至上依次包括：复合衬底、GaN高阻层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN钝化层；所述复合衬底为锗钼复合衬底或锗钨复合衬底或锗铪复合衬底，其表面...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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