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本发明关于一种薄膜形成方法，特别是用于形成钨薄膜的薄膜形成方法。根据一示例性实施例，薄膜形成方法包含将一还原气体供应至位于一反应空间中的一基板上、施加一电源以在反应空间中产生电浆，以及将一含钨气体供应到基板上，且含钨气体的供应是在供应还原气...
该专利属于周星工程股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过周星工程股份有限公司授权不得商用。

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