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本公开涉及一种半导体器件及其制备方法、存储器及电子设备，其中方法包括：提供目标衬底，目标衬底内形成有沿第一方向由初始第一隔离结构间隔排布的多个有源柱，有源柱沿第二方向的相对两侧形成有初始第二隔离结构；初始第二隔离结构包括绝缘柱及包覆绝缘柱的...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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