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光敏装置和材料制造方法及图纸
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文档序号:37142201
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本申请涉及光敏装置和材料。本文公开用于在反应空间中的衬底上沉积包括介电性过渡金属化合物相和导电或半导体过渡金属化合物相的薄膜的沉积方法。沉积方法可包含多个超循环。每一超循环可包含介电性过渡金属化合物子循环和还原子循环。所述介电性过渡金属化合...
该专利属于ASMIP控股有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ASMIP控股有限公司授权不得商用。
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