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本发明涉及一种晶闸管芯片及制作方法，一种晶闸管芯片包括：钼片、绝缘胶膜层、阳极金属、阴极金属、门极金属、阳极P型层、N型基区、P型基区、阴极N型区和导电胶膜层；门极金属包括：中心门极金属和放大门极金属；阴极N型区：包括阴极发射N型区和放大门...
该专利属于浙江正邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江正邦电子股份有限公司授权不得商用。

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