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本发明提供一种改善外延工艺弛豫的方法，提供衬底，在衬底上形成外延层；其中，外延层的形成工艺包括：利用SiH4气体作为第一硅源气体，SiH2Cl2气体作为第二硅源气体；调节温度与压强，使得SiH2Cl2气体分解为硅气体和氯化氢，SiH4气体分...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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