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本申请实施例公开了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，该制备方法包括：提供衬底；于衬底上依次形成MTJ结构和第一掩膜结构；对第一掩膜结构进行图案化处理形成沿第一方向延伸的第一图案；于第一图案上方形成第二掩膜结构；对第二掩膜结...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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