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本发明公开了一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法，包括步骤：(1)对MOSFET器件进行初始阈值电压测试；(2)用电子束对上述MOSFET器件进行辐照处理，加速器件老化；(3)以设定的步长逐渐增加辐照剂量，测试并记录不同辐照剂...
该专利属于陕西半导体先导技术中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西半导体先导技术中心有限公司授权不得商用。

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