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本发明涉及碳化硅半导体晶圆的切割。本发明公开了一种切割碳化硅(SiC)半导体晶圆的方法，所述方法可包括通过执行部分划切操作来在所述碳化硅(SiC)半导体晶圆内限定切口，其中所述SiC半导体晶圆沿着平面对准并且所述切口具有小于所述SiC半导体...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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