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基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管的制备方法技术
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下载基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管的制备方法的技术资料
文档序号:37120948
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本发明属于半导体器件技术领域,具体为基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管制备方法。本发明方法包括:提供低维半导体材料结构的工件并制备成样品;在真空腔室中通入气体电离形成等离子体,与源极/漏极接触区域的低维半导体材料发生反应;原位真空沉积电...
该专利属于复旦大学所有,仅供学习研究参考,未经过复旦大学授权不得商用。
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