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本申请适用于晶体管技术领域，提供了一种氮化镓器件的缺陷参数测量方法、装置及介质。缺陷参数测量方法包括：在每个第一测量周期的第一阶段向栅极与源极之间施加第一时长的第一电压；在第二阶段向漏极与源极之间施加第二时长的第二电压；在每个第二阶段结束时...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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