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本发明涉及微电子器件制作领域，为一种微电子器件表面沉积技术，具体而言，涉及一种纳米铜镀膜的低温原子层沉积制备方法；将基底置于反应腔中，使用铜前驱体、反应物、惰性气体以交替脉冲的形式进入反应腔，在基底表面沉积氧化铜薄膜；基于所述氧化铜薄膜通入...
该专利属于深圳市原速光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市原速光电科技有限公司授权不得商用。

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