温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种用于生长半导体组件的方法，其中所述方法包括提供硅基片以及生长两个金属氮化物层，其中所述金属氮化物层分别借助于金属靶和等离子体来生长。在此对于第二金属氮化物层使用较高的氢比例。这允许比已知方法更好的晶体品质。本发明还涉及一种对应...
该专利属于奥托-冯-格里克-马格德堡大学所有，仅供学习研究参考，未经过奥托-冯-格里克-马格德堡大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。