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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述衬底上形成伪栅极，所述伪栅极沿第一方向延伸，所述伪栅极包括隔离区，所述隔离区沿第二方向贯穿所述伪栅极，所述第二方向垂直于第一方向，且所述第一方向和所述第二方向均平行于衬底表面；在所述伪栅极侧壁...
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