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本发明公开一种晶圆清洗装置及使用方法，所述晶圆清洗装置，包括：处理腔、位于处理腔外的第一气体源、第二气体源、输气管、远程等离子体源和激发电源；处理腔包括喷淋头和基座，喷淋头设置于处理腔内部上方；基座设置于处理腔内部下方，与喷淋头相对设置；激...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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