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本申请涉及用于深沟槽填充的多夹层结构。通过在衬底(102)中形成深沟槽(120)并在深沟槽(120)的侧壁(118)上形成介电内衬(116)来形成半导体器件(100)。第一未掺杂多晶硅层(122)在半导体器件(100)上形成，其延伸到介电内...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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