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一种应用于提高谷偏振度的光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构的制备方法技术
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文档序号:37087854
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本发明公开了一种应用于提高谷偏振度的光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构的制备方法,将光学介电微球分散液滴在单层二硒化钨上,通过自组装的方法得到光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构。本发明得到的光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构具有...
该专利属于北京工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京工业大学授权不得商用。
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