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本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括蓝宝石衬底，位于蓝宝石衬底一侧的AlN缓冲层，位于AlN缓冲层的远离蓝宝石衬底一侧的籽晶层，其中，籽晶层中包括多个间隔设置的基岛，位于籽晶层的远离蓝宝石衬底一侧的合...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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