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一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片技术
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文档序号:37072354
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本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片,其MQW层包括沿第一方向交替层叠生长的量子垒和量子阱,且所述量子垒包括若干组InGaN/GaN/AlGaN层,进一步地,所述量子垒的两接触面分别设有GaN层;通过InGaN/GaN/A...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。
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