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本发明公开了一种基于二维铁电半导体的光电随机存取存储电子器件及其制备方法，本发明涉及光电子存储技术领域。该器件由下至上依次包括支撑衬底、绝缘衬底、漏电极、铁电介质层和源电极。本发明的器件由铁电介质层吸收波长大于带隙的光，产生光生电子空穴对，...
该专利属于电子科技大学长三角研究院（湖州）所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学长三角研究院（湖州）授权不得商用。

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