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本发明公开了一种在金刚石衬底上键合GaN层的方法及其器件，包括：在硅衬底上生长第一GaN层；转移单层或双层石墨烯薄膜至所述第一GaN层上；在所述石墨烯薄膜上依次生长第二GaN层和AlGaN层；在所述AlGaN层上涂敷柔性胶；通过所述柔性胶将...
该专利属于成都功成半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都功成半导体有限公司授权不得商用。

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