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该发明涉及一种具有分离平面栅结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，其包括形成于衬底上表面的外延区域和至少两个形成于外延区域中的体区域。体区域位于靠近外延区域的上表面，且横向彼此间隔。该器件还包括至少两个设置于对应的体区域中...
该专利属于上海晶丰明源半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海晶丰明源半导体股份有限公司授权不得商用。

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