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本发明涉及一种光活性电子器件，它包括阳极、阴极和光活性层。所述器件还包括电子迁移和／或抗淬灭层，它能将光活性层的电子转移淬灭和能量转移淬灭降至最小。...
该专利属于E.I.内穆尔杜邦公司所有，仅供学习研究参考，未经过E.I.内穆尔杜邦公司授权不得商用。

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