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本发明公开了一种氧化铟锡（ＩＴＯ）膜，其中通过氮与选自包括ＩＴＯ构成元素Ｉｎ、Ｓｎ和Ｏ原子的组的至少一种原子反应而制备的含氮化合物，或沉淀的含氮的化合物存在于ＩＴＯ膜的表面上；本发明还公开了一种制备ＩＴＯ膜的方法，该方法包括使用氮等离子体处...
该专利属于LG化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG化学株式会社授权不得商用。

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