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本发明提供了一种HBT器件的分子束外延生长方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：沉积生长集电区层；在镓源炉从第一温度开始升温的同时，在集电区层上沉积生长基区层，镓源炉采用分段线性升温方式升温。在外延生长组分连续渐变的基区层的过程中，通过...
该专利属于新磊半导体科技（苏州）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新磊半导体科技（苏州）股份有限公司授权不得商用。

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