温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种AlGaN基紫外发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该二极管包括衬底及设于衬底之上的N型半导体层，二极管还包括：依次层叠于N型半导体层之上的低温应力释放层、阱前电子阻挡层、阱前电子减速层、量子阱发光层、空穴储备层...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。