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本发明涉及一种巨量转移方法，所述巨量转移方法包括如下步骤：(1)将含有至少两个LED芯片的外延片与第一衬底进行键合，形成键合对，所述第一衬底的表面由内至外依次设置有激光释放层和临时粘接层；(2)将键合对在激光下照射，剥离外延片，使LED芯片...
该专利属于深圳市化讯半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市化讯半导体材料有限公司授权不得商用。

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