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本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括衬底，以及依次生在衬底上的n型半导体层、复合发光层和透明导电层；复合发光层包括多个纳米线结构和散射介质，多个纳米线结构沿生长方向延伸，且相互平行间隔排布，散射介质填...
该专利属于华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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