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本发明涉及基于金属掩膜刻蚀的ALD约瑟夫森结制备方法。包括：在衬底上定义下层金属掩膜图形，沉积金属薄膜，得到下层金属层；将底层金属掩膜图形转移到下层金属层，形成下层金属掩膜；去除下层金属掩膜表面的自然氧化层；在真空中器件原位传输到薄膜生长腔...
该专利属于中国人民解放军战略支援部队信息工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军战略支援部队信息工程大学授权不得商用。

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