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提供一种劣化少的电极或劣化少的二次电池。本发明的一个方式是一种电极，包括：第一区域；以及第二区域，其中，第一区域包括含有硅的粒子，第二区域包括含有硅的粒子及石墨烯化合物，并且，第二区域覆盖第一区域的至少一部分并与其接触。另外，该电极包括多个...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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