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本发明公开一种提供增强型过压保护的MOSFET及MOSFET的制造方法，应用于半导体领域；解决的技术问题是半导体器件过压损坏，采用的技术方案是一种提供增强型过压保护的MOSFET，在内部半导体器件的输入端和输出端之间放置了一个保护电路，当施...
该专利属于上海雷卯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海雷卯电子科技有限公司授权不得商用。

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