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本发明提供一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及生长工艺方法，涉及半导体器件领域，包括：包括从下至上依次形成的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层，以及在势垒层之上，横向依次排列的第一钝化层、栅极以及第二钝化层；还包括在所述沟道层的两个侧端，横向设置的...
该专利属于赛卓电子科技（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛卓电子科技（上海）股份有限公司授权不得商用。

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