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本发明涉及磁畴壁替代式存储器单元(赛道存储器器件)，在基础赛道器件结构的铁磁(FM)结构或合成反铁磁(SAF)结构的铁磁/重金属界面处包含4d或5d金属粉化层(DL)。面处包含4d或5d金属粉化层(DL)。面处包含4d或5d金属粉化层(DL...
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