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一种在室温下的超稀释HF/氮气喷射清洗半导体晶圆的方法技术
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一种在室温下的超稀释HF/氮气喷射清洗半导体晶圆的方法,所述处理方法包括如下步骤:S1、在室温下准备超稀释HF溶液作为受污染的晶圆的清洁液;S2、清洁液经过射流喷嘴雾化产生细小液滴喷到晶圆表面上;S3、利用加压氮气通过射流喷嘴加快液滴的速度...
该专利属于江苏筑磊电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏筑磊电子科技有限公司授权不得商用。
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