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本发明涉及一种硅基负极片及其制备方法与二次电池。所述硅基负极片包括集流体和活性物质层，所述集流体为铜箔，所述活性物质层中的活性物质包括硅材料；所述硅基负极片满足如下关系：T>(40000
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该专利属于上海瑞浦青创新能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海瑞浦青创新能源有限公司授权不得商用。

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