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一种半导体设备包括包含碳化硅的半导体层结构、半导体层结构上的栅极介电层，以及栅极介电层上与半导体层结构相对的栅极电极。在一些实施例中，栅极介电层的位于栅极电极下方的部分的外围比栅极介电层的中心部分厚，并且栅极电极的下表面具有凹进的外边缘，诸...
该专利属于沃孚半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过沃孚半导体公司授权不得商用。

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