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本发明提供一种改善铝锗键合程度的方法，提供用于键合的第一晶圆和第二晶圆，在第一晶圆上形成有材料为铝第一金属键合垫，在第二晶圆上形成有材料为锗的第二金属键合键，第一、二晶圆通过第一、二金属键合垫键合；对准第一、二晶圆，使得第一、二晶圆上的第一...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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