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本发明提供了一种晶体管物理基陷阱效应模型参数提取方法。针对需要提取参数的晶体管，采用脉冲IV测试模式执行常温状态下脉冲电流特性曲线测试；针对待提取参数的晶体管，执行不同温度下的瞬态电流特性曲线测试；执行晶体管电流模型的参数提取；根据不同温度...
该专利属于电子科技大学长三角研究院（湖州）所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学长三角研究院（湖州）授权不得商用。

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