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一种B掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用技术
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文档序号:36739644
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本发明提供了一种B掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用,所述制备方法包括:(1)将氧化亚硅基体进行刻蚀,加入硼源混合,得到氧化亚硅前驱体;(2)将所述氧化亚硅前驱体进行烧结,所述烧结的温度不低于700℃,得到B掺杂氧化亚硅负极材料。本发明...
该专利属于湖北亿纬动力有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过湖北亿纬动力有限公司授权不得商用。
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