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一种半导体结构及其形成方法,其中半导体结构包括:衬底,衬底包括隔离区;位于隔离区上的底层电极板,底层电极板在隔离区表面上具有第一投影图形;位于底层电极板上的第一绝缘层;位于第一绝缘层上的中层电极板,中层电极板在隔离区表面上具有第二投影图形,...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,其中半导体结构包括:衬底,衬底包括隔离区;位于隔离区上的底层电极板,底层电极板在隔离区表面上具有第一投影图形;位于底层电极板上的第一绝缘层;位于第一绝缘层上的中层电极板,中层电极板在隔离区表面上具有第二投影图形,...