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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，其上形成有第一牺牲层，第一牺牲层上形成堆叠的沟道叠层，包括第二牺牲层和之上的沟道层，基底上还形成有伪栅结构，第一牺牲层的耐刻蚀度小于第二牺牲层的耐刻蚀度；去除伪栅结构两侧的叠层结构和第一牺...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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