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本公开的实施例提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、电子设备,该氧化物薄膜晶体管包括:衬底基板;依次层叠设置在衬底基板上的栅极和金属氧化物半导体层;设置在金属氧化物半导体层和栅极之间的栅绝缘层,其中,栅绝缘层包括层叠设置的氧化硅绝缘层和氮化...该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。
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本公开的实施例提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、电子设备,该氧化物薄膜晶体管包括:衬底基板;依次层叠设置在衬底基板上的栅极和金属氧化物半导体层;设置在金属氧化物半导体层和栅极之间的栅绝缘层,其中,栅绝缘层包括层叠设置的氧化硅绝缘层和氮化...