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本发明公开了一种图像传感器以及形成方法，该方法包括：通过刻蚀和外延工艺，在半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成第二介质层；去除所述沟槽开口附近的部分所述第一介质层和所述第二介质层；形成第一外延层，使所...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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