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本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，所述方法包括：提供基底，基底上形成有相对设置的复合振膜结构和背极板，复合振膜结构和背极板之间具有空腔，复合振膜结构包括层叠的张应力膜层和压应力膜层，张应力膜层和压应力膜层中的一者为介质层，另一者为导电...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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