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本发明公开了线接触联动薄膜电容式压力敏感芯片及其制造方法。该芯片主要包括刻有凹槽的单晶硅衬底，采用MEMS技术制作的上极板和下极板，密封腔体和二氧化硅介质层等。其特征在于：敏感结构中上、下两极板均感压可动，当有外界压力存在时，上极板受到压力...
该专利属于揣荣岩所有，仅供学习研究参考，未经过揣荣岩授权不得商用。

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