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本申请涉及堆叠半导体装置中的混合金属结构及相关联系统和方法。所述堆叠半导体装置可包含第一半导体裸片和第二半导体裸片。所述第一半导体裸片可包含顶部表面、所述顶部表面处的第一接合位点以及所述第一表面处的与所述第一接合位点间隔开的第二接合位点。所...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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