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本发明公开了一种高密度取向碳纳米管薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：在基底表面形成图案化的粘附层，通过空间限域技术使碳纳米管选择性结合在粘附层上，从而形成高密度取向碳纳米管薄膜；用于形成所述粘附层的粘附材料包括二氧化硅、三氧化二铝、...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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