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目的在于得到硼的含有量在面内的任意位置处都少且有效面积大的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，在所述外延层中，所述硼的浓...
该专利属于昭和电工株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过昭和电工株式会社授权不得商用。

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