具有被屏蔽传输线结构的RF放大器制造技术资料下载

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文档序号：36616233

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RF晶体管放大器包括：具有半导体层结构的RF晶体管放大器管芯；在半导体层结构的上表面上的耦合元件；以及互连结构，其在耦合元件的上表面上，使得RF晶体管放大器管芯和互连结构处于堆叠布置中。耦合元件包括第一被屏蔽传输线结构。线结构。线结构。该专利属于沃孚半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过沃孚半导体公司授权不得商用。

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